- 据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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三星 HBM4 4nm
- 据媒体报道，日前，台积电11月欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，其有望在2027年认证超大版本的CoWoS（晶圆上芯片）封装技术，该技术将提供高达9个掩模尺寸的中介层尺寸和12个HBM4内存堆栈，推测它将在2027年至2028年被超高端AI处理器采用。据悉，这一全新封装方法将解决性能要求最高的应用，并让AI（人工智能）和HPC（高性能计算）芯片设计人员能够构建手掌大小的处理器。报道称，完全希望采用台积电先进封装方法的公司也能使用其系统级集成芯片（SoIC）先进封装技术垂直堆叠其逻辑，以进一步提高晶体管
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- 7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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- 据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。此外，目前美光最大的
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ASMPT 美光 HBM4
- HBM（HighBandwidth Memory，高带宽内存）是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代 DRAM 解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。过去 10 年里，HBM 技术性能不断升级迭代，已经成为高性能计算领域重要的技术基石之一。2023 年初以来，以 ChatGPT 为代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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- 6月2日消息，台北电脑展2024的展前主题演讲上，NVIDIA CEO黄仁勋宣布了下一代全新GPU、CPU架构，以及全新CPU+GPU二合一超级芯片，一直规划到了2027年。黄仁勋表示，NVIDIA将坚持数据中心规模、一年节奏、技术限制、一个架构的路线，也就是使用统一架构覆盖整个数据中心GPU产品线，并最新最强的制造工艺，每年更新迭代一次。NVIDIA现有的高性能GPU架构代号"Blackwell"，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游
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- 在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。据 DigiTimes 报道，三星 HBM3E 内存尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，这是因为卡在了台积电的审批环节。作为英伟达 AI GPU 芯片的制造和封装厂，台积电是英伟达验证环节的重要参与者。据悉，台积电采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 产品设定的检测标准，而三星的 HBM3E 产品在制造工艺上有些差异，例如，SK 海力士芯片封装环节采用了 MR-MUF
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- 在 HBM4 内存带来的几大变化中，最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口，HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作；芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法，以适应更宽的内存。作为
2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4
制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4
制造工艺中占据有
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- 一位业内人士表示，「『半导体游戏规则』可能在 10 年内改变，区别存储半导体和逻辑半导体可能变得毫无意义」。HBM4，魅力为何如此？技术的突破2023 年，在 AI 技术应用的推动下，数据呈现出爆炸式的增长，大幅度推升了算力需求。据悉，在 AI 大模型领域，未来 AI 服务器的主要需求将从训练侧向推理侧倾斜。而根据 IDC 的预测，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 将作用于模型推理。同时，预计到 2025 年，智能算力需求将达到当前的 100 倍。据悉，自 2015 年以来，从 HBM1 到
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HBM4
- 人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。存储大厂持续发力，三星将推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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- 三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。
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- AI大势下，高带宽内存 (HBM) 从幕后走向台前，备受存储市场关注。近期，媒体报道下一代HBM将迎来重大变化，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。自2015年以来，所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位，足以可见HBM4具备的变革意义。另据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产HBM4。尽管HBM4将有大突破，但它不会很快到来。当前HBM市场以HBM2e为主，未来HBM3将挑起大梁。全球市场研究机
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- 据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产新一代HBM产品，HBM4。从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E，I/O接口数为每颗芯片1024个，拥有超过2000个以上I/O接口的HBM尚未问世。以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2
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