- 为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on
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英飞凌 OptiMOS MOSFET 热插拔
- OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS™
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技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
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OptiMOS MOSFET 英飞凌
- 英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车（LEV）、电动二轮车、电动踏板车、电动摩
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英飞凌科技 汽车应用 OptiMOS™ 7 MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动
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英飞凌 MOSFET OptiMOS
- 英飞凌科技股份公司近日推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产
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英飞凌 OptiMOS 6200V MOSFET
- 交通系统的电气化进程正在不断加快。除了乘用车外，两轮车、三轮车和轻型汽车也越来越多实现了电气化。因此，由24V-72V电压驱动的车用电子控制单元（ECU）市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。六款新产品具有较窄的栅极阈值电压（V GS(th)），支持并联 MOSFET设计，以增加输
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英飞凌 TOLx封装 OptiMOS 5 大功率ECU
- 【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信
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英飞凌 OptiMOS 功率MOSFET
- 【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。这使得全新 MOSFET 成为所有的标准和未来车用 40V MOSFET 应用的理想选择，如电动助力
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英飞凌 OptiMOS 导通电阻
- 【2022 年 9 月 22日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）技术在大规模数据中心里的应用，整个市场对更高性能的半导体器件的需求也将持续增加。这一趋势使得为智能的企业级系统创建高功率密度、高能效的解决方案成为了一大挑战。为了解决这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了全新的OptiMOS™ 5 IPOL系列降压稳压器。该产品系列具有符合VR14标准的SVID和I2C/PMBus数字接口，适用于英特尔和AMD的服务器CPU及网络ASIC/FPGA。这些
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英飞凌 OptiMOS DC-DC稳压器
- 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。OptiMOS线性场效应晶体管最适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。 耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流，Opt
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英飞凌 OptiMOS
- 英飞凌科技股份公司在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。第一个产品系列OptiMOS™ 5 40V针对二氧化碳减排应用进行了优化。产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。
英飞凌科技股份公司汽车电子事业部总裁Jochen Hanebeck表示：“通过采用300毫米薄晶圆工艺生产汽车功率场效应管，英飞凌加强了自身的技术与市场领先优势。英飞凌确保以具有竞争力的价格提供大规模量产的高性能汽车功率场效应管。我们的汽车行业客户将受益于供货保障，以及英飞凌300毫米薄
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英飞凌率 OptiMOS
- 英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD，进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。 提高可靠性，同时节省成本 OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
- 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
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英飞凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
- 2011年9月9日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
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英飞凌 汽车电源 OptiMOS P2
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